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随着王东来这一声令下。
电闸顿时合上。
辐射光源也逐渐开始运行起来。
芯片的诞生,要经历的流程很多。
而光刻就是芯片制造至关重要的一个环节。
光刻技术最早于1958年开始应用,并实现了平面晶体管的制造,也是ic制程中最重要的模块。
光刻的过程是在硅片表面上匀胶,然后将掩模版上的图形转移到光刻胶上的过程,是将器件或电路结构临时“复制”
到硅片上的过程。
光刻在整个硅片加工成本中几乎占三分之一。
光刻占40%到50%的流片时间,它决定晶圆最小特征尺寸。
半导体硅片在进行光刻之前有一系列清洗、涂光刻胶等过程,光刻后还有显影、清洗等工艺。
这一次的技术验证,自然不可能从最开始的环节开始。
前期的材料自然是早就准备好了,单晶硅棒已经被切割成了薄片。
这一点,国内的单晶硅和晶圆片,也已经取得了一定的突破。
值得多提一句的是,这一次使用的正是来自魔都新胜半导体生产的。
至于设计者张如京也在今年从魔都新胜半导体离职,加入了银河科技。
除了张如京的加入,还有梁松等多位大佬的加入。
这些大佬的加入,也极大地帮助了王东来在这方面的突破。
不然的话,除非是发展机器人,采取黑灯工厂模式,用娲来全面接管,才能这么顺利完成。
而要是这么做的话,所展现出来的人工智能就太惊人了,所以王东来根本就没有这么想过。
所幸,有了这些大佬的加入,这方面的研发也有了很大的进步。
王东来能说出年底能进行技术验证的一部分底气,便是这些大佬。
这一次的光刻工厂项目,因为引起了海外半导体巨头的恶意针对,所以从银河科技单独制造,变成了举国之力攻克。
在很多地方,也打乱了王东来的设计。
同时,也节省了王东来很多的功夫。
毕竟,国内的半导体技术再落后,那也是有的。
一些细分领域的技术,比之国际顶尖水平,也只是稍差一点罢了。
这些技术被王东来进行统合,再加以改良之后,所展现出来的水平已经追赶上国际先进水平。
就像是这一次要测试的芯片,就是一款基于x米自主研发的澎湃芯片。
x米在这上面,投入了大量的资金和人力。
不过,效果并不理想。
雷布斯都准备撤掉这个研发项目了。
恰好就遇到了这个事情。
雷布斯当时第一个站出来表态支持银河科技,反对国外半导体巨头的不公平合作,就算是出于x米自身利益的考量考虑,但是也对银河科技有所恩情。
王东来是个知恩图报的人。
所以,就定下了这个计划。
帮助雷布斯把澎湃芯片研发出来,攻克7nm工艺。
“领导,这是x米的澎湃芯片,在今年2月份的时候,x米推出了澎湃s1,采用的是28纳米工艺制程,最高主频达2.2吉赫兹。”
“但是,放眼全球,这个工艺水平其实相当落后了。”
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